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HBM:台廠在哪裡?

HBM 只由三大記憶體廠生產,本文依晶圓與 base die、打孔磨薄、堆疊、測試、封裝五個環節列出參與的台廠,並整理市場規模、缺貨原因、三大廠競爭、價格與長約。

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【HBM :台廠在哪裡?】

HBM 只有 Samsung、SK hynix、美光三家在做,但從晶圓到封裝,很多環節都在台灣

拆開 HBM 的五個環節

全世界只有 3 家公司做得出 HBM,沒有一家是台灣的。
但拆開HBM供應鏈,台廠從頭到尾都在裡面

HBM 就是疊在 AI 晶片旁邊的那一疊記憶體。
做 HBM 的只有三家:韓國的 Samsung、SK hynix,跟美國的美光

圖 1/8HBM 從晶圓到封裝五個環節的台廠流程圖:晶圓與 base die、TSV 磨薄、堆疊鍵合、整疊測試、CoWoS 封裝。
圖中文字

一疊 HBM,台廠在哪裡?
記憶體是韓、美三家做,但前後段很多環節在台灣

HBM 從晶圓到封裝,五個環節的台廠(示意):

  1. DRAM 晶圓+base die:台積電(base die 邏輯製程)、中砂(HBM 載板晶圓)、環球晶(與美光簽 10 年長約)
  2. TSV、磨薄(PWF):力積電(承接美光 HBM 晶圓處理)、崇越(暫時鍵合 TBDB 等材料)
  3. 堆疊鍵合:印能(除氣泡、抗翹曲設備)、政美應用(微凸塊、混合鍵合量測)
  4. 整疊測試:京元電(DRAM/HBM 測試)、旺矽(MEMS 探針卡)
  5. 貼到 GPU 旁(CoWoS):台積電(CoWoS 封裝)、日月光(承接 CoWoS 後段外包)

來源:HSBC 2026-06-02、野村 2026-07-14、力積電 3Q26 法說、群益、MS、Citi 等公開報告與公司官網

記憶體三家寡占,台廠吃的是前後段

1. 晶圓+base die

SK hynix 從 HBM4 開始,把最底層的 base die 交給台積電做,美光也會跟進
(中砂、環球晶也在這)

2. 打孔、磨薄

力積電接下美光的 HBM 晶圓處理,預計 2027 年第四季量產
(還有崇越)

3. 一層層疊上去 ×8

除氣泡、抗翹曲、量測接點,每一層都不能出錯
(印能、政美應用)

4. 整疊測試

一層壞掉,整疊就報廢
(京元電、旺矽)

5. 貼到 GPU 旁

最後要跟 GPU 一起進 CoWoS
(台積電、日月光)

市場、供需與台廠

1. 市場兩年快一倍

JPM 估 HBM 營收 2027 年 1,600 億美元、2028 年 2,820 億美元;2027 年 ASIC 會超越 NVIDIA,成為最大買家。

圖 2/8HBM 市場規模直條圖:JPM 估營收 2027E 1,600 億、2028E 2,820 億美元,UBS 估 2027E 位元需求 615 億 Gb 高於出貨 554 億 Gb。
圖中文字

HBM 市場有多大
兩年後一年近 3,000 億美元,量還是不夠用

HBM 產業營收(美元,JPM):

年度 營收
2027E 1,600 億
2028E 2,820 億

HBM 位元量(億 Gb,UBS):

項目 位元量
2026E 出貨 364
2027E 出貨 554
2027E 需求 615

JPM 2026-09-22;UBS 2026-08-07(出貨=三大廠位元出貨,需求=終端消耗)

怎麼看:

  1. 兩年長快一倍:JPM 9 月把 2027、2028 年 HBM 營收上修 10%、12%,到 2028 年占三大廠 DRAM 營收約 2 成;HSBC 估 2027 年約 1,630 億美元,口徑相近
  2. 位元需求一年成長 6 成以上:JPM 估 2026–28 年 HBM 位元需求年複合成長 63%,一般伺服器 DRAM 只有 37%
  3. 量還是追不上:UBS:2027 年需求 615 億 Gb、出貨 554 億 Gb;JPM 估供需缺口 2026 年 -20%、2028 年仍有 -16%

HBM 是記憶體裡長最快、也最缺的一塊;價跟量一起往上,缺口到 2028 年都還在

圖 3/8HBM 需求來源:每顆 GPU 的 HBM 容量從 A100 的 40GB 到 Rubin 的 288GB,以及 NVIDIA 與 ASIC 的位元需求占比。
圖中文字

需求從哪來
每顆晶片越用越多,買家也從 NVIDIA 擴到各家 ASIC

一顆 GPU 配多少 HBM(GB):

GPU 年份 HBM(GB)
A100 2020 40
H100 2022 80
H200 2024 141
B200 2025 192
Rubin 2026 288

HBM 位元需求誰在買(JPM):

  • 2026E:NVIDIA 58%、ASIC 與其他 42%
  • 2027E:NVIDIA 43%、ASIC 48%

容量:NVIDIA 官方規格;位元需求占比:JPM 2026-09-22、2026-10-12

三層放大:

  1. 晶片:A100 到 Rubin 多 7 倍:一顆 GPU 從 40GB 到 288GB(MS 整理)
  2. 機櫃:8 卡伺服器 320GB → Rubin NVL72 機櫃 20.7TB:一櫃放 72 顆 GPU,HBM 用量約 65 倍
  3. 2027 年 ASIC 變最大買家:JPM 估 ASIC 系統出貨年增 102%、NVIDIA 15%;UBS 估 Google TPU 2027 年用掉 192 億 Gb

需求不只來自 NVIDIA,各家自研晶片也在搶;每顆用更多 × 晶片賣更多,需求兩頭放大

2. 為什麼一直缺

同樣容量,HBM 要吃掉一般 DRAM 約 3 倍以上的晶圓。MS 估 HBM 占先進 DRAM 晶圓從 6% 升到 34%,一般記憶體也跟著缺。

圖 4/8HBM 產能瓶頸:同樣容量需約 3 片以上晶圓,並比較 Samsung、SK hynix、美光的 TSV 產能。
圖中文字

為什麼產能長不出來
同樣的容量,HBM 要吃掉好幾倍的晶圓

做出同樣容量,要用幾片晶圓(示意):一般 DRAM 1 片;HBM:約 3 片以上

三大廠 HBM 的 TSV 產能(千片/月,年底,MS):

廠商 2026E → 2027E
Samsung 180 → 250
SK hynix 200 → 250
美光 100 → 110

MS 2026-06-02、2026-08-26;JPM 2026-10-12;美光 F4Q26 法說

卡在哪:

  1. 晶粒大、良率一層層相乘:TSV 占面積,壞一層整疊報廢;MS 估 HBM 每 bit 吃的晶圓是一般 DRAM 約 3 倍以上
  2. 先進 DRAM 晶圓被 HBM 吃掉:MS:HBM 占先進 DRAM 晶圓從 2023 年 6% 升到 2028 年 34%;JPM:新產能有 58% 給 HBM
  3. 蓋廠要時間:美光法說:無塵室建置期長,目前仍看不到供需平衡的時間點

HBM 越賣越多,一般 DRAM 就越缺;這也是今年記憶體全面漲價的原因

3. 三大廠在搶

UBS 估 2027 年 Samsung 位元市占 40%,追過 SK hynix 的 38%;美光從 HBM4E 起把 base die 交給台積電。

圖 5/8UBS 估三大廠 HBM 位元市占 2026E 與 2027E,以及三家層間鍵合與 base die 製程路線比較表。
圖中文字

三大廠誰在搶
SK hynix 領先,Samsung 2027 年有機會追上

HBM 位元市占(UBS):

公司 2026E 2027E
SK hynix 47% 38%
Samsung 31% 40%
Micron 21% 22%

UBS 2026-08-07 位元出貨模型

三家路線不一樣:

公司 層間鍵合 HBM4 base die HBM4E base die
SK hynix MR-MUF 台積電 12nm 台積電
Samsung TC-NCF 自家 4nm 自家
Micron TC-NCF 自家 DRAM 製程 轉台積電

SemiAnalysis 2026-07-02、Damnang 2026-07-09、各公司公開資料

Samsung 靠產能追上,SK hynix 靠技術守住;美光從 HBM4E 起也把 base die 交給台積電

4. 價格與長約

HBM4 每 Gb 約 3.5–4.0 美元,接近 NVIDIA 今年價格的兩倍;美光 2027 年超過 75% 產出已被訂走。

圖 6/8HBM 每 Gb 價格橫條圖:NVIDIA 2026 年價 1.8–1.9 美元、HBM4 預期成交 3.5–4.0 美元,並整理漲價與長約重點。
圖中文字

價格與長約
HBM4 價格接近翻倍,產能提前一兩年就被訂走

HBM 每 Gb 價格(美元):

項目 價格
NVIDIA 2026 年價 1.8–1.9
HBM4 三家開價 2.9–4.5
HBM4 預期成交 3.5–4.0
HBM4E 2027E 3.9

GFHK 2026-09-06(前三列);UBS 2026-08-07(HBM4E)

重點:

  1. 價格還在漲:JPM 估 HBM 平均售價 2027 年再漲 54%、2028 年 25%;HBM4 價格預計 4Q26 初定案
  2. 產能先被訂走:美光法說:簽了 26 份長約,客戶承諾 320 億美元;2027 年超過 75% 產出已被訂走,客戶開始談 2028 年
  3. 規格往下修:8 層為主流:GFHK:NVIDIA、TPU、AMD 多以 8 層為主;JPM:16 層延到 2029 年才可能上市

缺貨讓 HBM 從「買得到」變成「先簽約」;規格往下修,是為了讓有限的產能多出幾顆

5. 台廠吃前後段

  • 晶圓:台積電、中砂、環球晶
  • 打孔磨薄:力積電(4Q27 量產)、崇越
  • 堆疊:印能、政美應用
  • 測試:京元電、旺矽
  • 封裝:台積電、日月光
圖 7/8HBM 台廠清單:晶圓、打孔磨薄、堆疊、測試、封裝各環節十家台廠的角色與出貨進度。
圖中文字

台廠清單細看
誰做什麼、什麼時候開始貢獻

環節 公司 做什麼 進度
晶圓 台積電 HBM4 base die 邏輯製程、CoWoS 封裝 已量產
晶圓 中砂 美光 HBM 製程用的載板晶圓(carrier wafer) 已出貨
晶圓 環球晶 與美光簽 10 年矽晶圓長約 長約
打孔磨薄 力積電 替美光做 HBM 晶圓處理,美光預付 3 億美元設備 4Q27 量產
打孔磨薄 崇越 暫時鍵合 TBDB、underfill 等封裝材料 已出貨
堆疊 印能 除氣泡、抗翹曲設備,公司稱 HBM 用到第三代機 已出貨
堆疊 政美應用 HBM 微凸塊、混合鍵合量測;新機 Horus 1Q27 前推出 已出貨
測試 京元電 DRAM/HBM 測試 HBM4 2H26
測試 旺矽 MEMS 探針卡,MS 估 2026 年相關營收 +93% 已出貨
封裝 日月光 承接台積電 CoWoS 後段外包 已出貨

力積電法說;野村(中砂、日月光);群益(印能);政美官網;HSBC、中信(京元電);MS(旺矽);Citi

台廠不做 HBM 顆粒,但每一段都有人;最快的已在出貨,力積電要等 2027 年底

要注意:Samsung 追上後的價格競爭、中國長鑫進場、規格下修到 8 層為主。

圖 8/8HBM 四個風險與全篇重點整理:Samsung 追上、長鑫進場、規格下修、價值往客戶移。
圖中文字

要注意的地方+重點整理
供給缺口會收斂嗎?價值會被誰拿走?

四個風險:

  1. Samsung 追上,價格競爭變激烈:UBS 估 2027 年 Samsung 位元市占 40%,超過 SK hynix
  2. 中國長鑫進場:MS 估 2027 年可做 300–400 萬顆 HBM3E,先供中國 AI 晶片
  3. 規格下修:8 層為主、16 層延後,每顆晶片用的 HBM 可能變少
  4. 價值往客戶移:NVIDIA 的 NVHBM 讓客戶自己設計 base die,記憶體廠的分潤位置會變

重點整理:

  1. 市場兩年快一倍:JPM:2028 年約 2,820 億美元,2027 年 ASIC 成最大買家
  2. 缺貨的根本是晶圓:同樣容量吃 3 倍以上晶圓,2027 年產出多已被長約訂走
  3. 台廠吃前後段:晶圓、材料、設備、測試、封裝都有台廠,時程從已出貨到 4Q27

HBM 缺的不只是記憶體,是整條供應鏈;記憶體三家寡占,但台廠每一段都分得到

資料來源:JPM、UBS、MS、GFHK、野村、Citi 公開報告與公司法說

本內容為產業知識分享,不構成投資建議

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