HBM:台廠在哪裡?
HBM 只由三大記憶體廠生產,本文依晶圓與 base die、打孔磨薄、堆疊、測試、封裝五個環節列出參與的台廠,並整理市場規模、缺貨原因、三大廠競爭、價格與長約。
【HBM :台廠在哪裡?】
HBM 只有 Samsung、SK hynix、美光三家在做,但從晶圓到封裝,很多環節都在台灣
拆開 HBM 的五個環節
全世界只有 3 家公司做得出 HBM,沒有一家是台灣的。
但拆開HBM供應鏈,台廠從頭到尾都在裡面
HBM 就是疊在 AI 晶片旁邊的那一疊記憶體。
做 HBM 的只有三家:韓國的 Samsung、SK hynix,跟美國的美光
圖中文字
一疊 HBM,台廠在哪裡?
記憶體是韓、美三家做,但前後段很多環節在台灣
HBM 從晶圓到封裝,五個環節的台廠(示意):
- DRAM 晶圓+base die:台積電(base die 邏輯製程)、中砂(HBM 載板晶圓)、環球晶(與美光簽 10 年長約)
- TSV、磨薄(PWF):力積電(承接美光 HBM 晶圓處理)、崇越(暫時鍵合 TBDB 等材料)
- 堆疊鍵合:印能(除氣泡、抗翹曲設備)、政美應用(微凸塊、混合鍵合量測)
- 整疊測試:京元電(DRAM/HBM 測試)、旺矽(MEMS 探針卡)
- 貼到 GPU 旁(CoWoS):台積電(CoWoS 封裝)、日月光(承接 CoWoS 後段外包)
來源:HSBC 2026-06-02、野村 2026-07-14、力積電 3Q26 法說、群益、MS、Citi 等公開報告與公司官網
記憶體三家寡占,台廠吃的是前後段
1. 晶圓+base die
SK hynix 從 HBM4 開始,把最底層的 base die 交給台積電做,美光也會跟進
(中砂、環球晶也在這)
2. 打孔、磨薄
力積電接下美光的 HBM 晶圓處理,預計 2027 年第四季量產
(還有崇越)
3. 一層層疊上去 ×8
除氣泡、抗翹曲、量測接點,每一層都不能出錯
(印能、政美應用)
4. 整疊測試
一層壞掉,整疊就報廢
(京元電、旺矽)
5. 貼到 GPU 旁
最後要跟 GPU 一起進 CoWoS
(台積電、日月光)
市場、供需與台廠
1. 市場兩年快一倍
JPM 估 HBM 營收 2027 年 1,600 億美元、2028 年 2,820 億美元;2027 年 ASIC 會超越 NVIDIA,成為最大買家。
圖中文字
HBM 市場有多大
兩年後一年近 3,000 億美元,量還是不夠用
HBM 產業營收(美元,JPM):
| 年度 | 營收 |
|---|---|
| 2027E | 1,600 億 |
| 2028E | 2,820 億 |
HBM 位元量(億 Gb,UBS):
| 項目 | 位元量 |
|---|---|
| 2026E 出貨 | 364 |
| 2027E 出貨 | 554 |
| 2027E 需求 | 615 |
JPM 2026-09-22;UBS 2026-08-07(出貨=三大廠位元出貨,需求=終端消耗)
怎麼看:
- 兩年長快一倍:JPM 9 月把 2027、2028 年 HBM 營收上修 10%、12%,到 2028 年占三大廠 DRAM 營收約 2 成;HSBC 估 2027 年約 1,630 億美元,口徑相近
- 位元需求一年成長 6 成以上:JPM 估 2026–28 年 HBM 位元需求年複合成長 63%,一般伺服器 DRAM 只有 37%
- 量還是追不上:UBS:2027 年需求 615 億 Gb、出貨 554 億 Gb;JPM 估供需缺口 2026 年 -20%、2028 年仍有 -16%
HBM 是記憶體裡長最快、也最缺的一塊;價跟量一起往上,缺口到 2028 年都還在
圖中文字
需求從哪來
每顆晶片越用越多,買家也從 NVIDIA 擴到各家 ASIC
一顆 GPU 配多少 HBM(GB):
| GPU | 年份 | HBM(GB) |
|---|---|---|
| A100 | 2020 | 40 |
| H100 | 2022 | 80 |
| H200 | 2024 | 141 |
| B200 | 2025 | 192 |
| Rubin | 2026 | 288 |
HBM 位元需求誰在買(JPM):
- 2026E:NVIDIA 58%、ASIC 與其他 42%
- 2027E:NVIDIA 43%、ASIC 48%
容量:NVIDIA 官方規格;位元需求占比:JPM 2026-09-22、2026-10-12
三層放大:
- 晶片:A100 到 Rubin 多 7 倍:一顆 GPU 從 40GB 到 288GB(MS 整理)
- 機櫃:8 卡伺服器 320GB → Rubin NVL72 機櫃 20.7TB:一櫃放 72 顆 GPU,HBM 用量約 65 倍
- 2027 年 ASIC 變最大買家:JPM 估 ASIC 系統出貨年增 102%、NVIDIA 15%;UBS 估 Google TPU 2027 年用掉 192 億 Gb
需求不只來自 NVIDIA,各家自研晶片也在搶;每顆用更多 × 晶片賣更多,需求兩頭放大
2. 為什麼一直缺
同樣容量,HBM 要吃掉一般 DRAM 約 3 倍以上的晶圓。MS 估 HBM 占先進 DRAM 晶圓從 6% 升到 34%,一般記憶體也跟著缺。
圖中文字
為什麼產能長不出來
同樣的容量,HBM 要吃掉好幾倍的晶圓
做出同樣容量,要用幾片晶圓(示意):一般 DRAM 1 片;HBM:約 3 片以上
三大廠 HBM 的 TSV 產能(千片/月,年底,MS):
| 廠商 | 2026E → 2027E |
|---|---|
| Samsung | 180 → 250 |
| SK hynix | 200 → 250 |
| 美光 | 100 → 110 |
MS 2026-06-02、2026-08-26;JPM 2026-10-12;美光 F4Q26 法說
卡在哪:
- 晶粒大、良率一層層相乘:TSV 占面積,壞一層整疊報廢;MS 估 HBM 每 bit 吃的晶圓是一般 DRAM 約 3 倍以上
- 先進 DRAM 晶圓被 HBM 吃掉:MS:HBM 占先進 DRAM 晶圓從 2023 年 6% 升到 2028 年 34%;JPM:新產能有 58% 給 HBM
- 蓋廠要時間:美光法說:無塵室建置期長,目前仍看不到供需平衡的時間點
HBM 越賣越多,一般 DRAM 就越缺;這也是今年記憶體全面漲價的原因
3. 三大廠在搶
UBS 估 2027 年 Samsung 位元市占 40%,追過 SK hynix 的 38%;美光從 HBM4E 起把 base die 交給台積電。
圖中文字
三大廠誰在搶
SK hynix 領先,Samsung 2027 年有機會追上
HBM 位元市占(UBS):
| 公司 | 2026E | 2027E |
|---|---|---|
| SK hynix | 47% | 38% |
| Samsung | 31% | 40% |
| Micron | 21% | 22% |
UBS 2026-08-07 位元出貨模型
三家路線不一樣:
| 公司 | 層間鍵合 | HBM4 base die | HBM4E base die |
|---|---|---|---|
| SK hynix | MR-MUF | 台積電 12nm | 台積電 |
| Samsung | TC-NCF | 自家 4nm | 自家 |
| Micron | TC-NCF | 自家 DRAM 製程 | 轉台積電 |
SemiAnalysis 2026-07-02、Damnang 2026-07-09、各公司公開資料
Samsung 靠產能追上,SK hynix 靠技術守住;美光從 HBM4E 起也把 base die 交給台積電
4. 價格與長約
HBM4 每 Gb 約 3.5–4.0 美元,接近 NVIDIA 今年價格的兩倍;美光 2027 年超過 75% 產出已被訂走。
圖中文字
價格與長約
HBM4 價格接近翻倍,產能提前一兩年就被訂走
HBM 每 Gb 價格(美元):
| 項目 | 價格 |
|---|---|
| NVIDIA 2026 年價 | 1.8–1.9 |
| HBM4 三家開價 | 2.9–4.5 |
| HBM4 預期成交 | 3.5–4.0 |
| HBM4E 2027E | 3.9 |
GFHK 2026-09-06(前三列);UBS 2026-08-07(HBM4E)
重點:
- 價格還在漲:JPM 估 HBM 平均售價 2027 年再漲 54%、2028 年 25%;HBM4 價格預計 4Q26 初定案
- 產能先被訂走:美光法說:簽了 26 份長約,客戶承諾 320 億美元;2027 年超過 75% 產出已被訂走,客戶開始談 2028 年
- 規格往下修:8 層為主流:GFHK:NVIDIA、TPU、AMD 多以 8 層為主;JPM:16 層延到 2029 年才可能上市
缺貨讓 HBM 從「買得到」變成「先簽約」;規格往下修,是為了讓有限的產能多出幾顆
5. 台廠吃前後段
- 晶圓:台積電、中砂、環球晶
- 打孔磨薄:力積電(4Q27 量產)、崇越
- 堆疊:印能、政美應用
- 測試:京元電、旺矽
- 封裝:台積電、日月光
圖中文字
台廠清單細看
誰做什麼、什麼時候開始貢獻
| 環節 | 公司 | 做什麼 | 進度 |
|---|---|---|---|
| 晶圓 | 台積電 | HBM4 base die 邏輯製程、CoWoS 封裝 | 已量產 |
| 晶圓 | 中砂 | 美光 HBM 製程用的載板晶圓(carrier wafer) | 已出貨 |
| 晶圓 | 環球晶 | 與美光簽 10 年矽晶圓長約 | 長約 |
| 打孔磨薄 | 力積電 | 替美光做 HBM 晶圓處理,美光預付 3 億美元設備 | 4Q27 量產 |
| 打孔磨薄 | 崇越 | 暫時鍵合 TBDB、underfill 等封裝材料 | 已出貨 |
| 堆疊 | 印能 | 除氣泡、抗翹曲設備,公司稱 HBM 用到第三代機 | 已出貨 |
| 堆疊 | 政美應用 | HBM 微凸塊、混合鍵合量測;新機 Horus 1Q27 前推出 | 已出貨 |
| 測試 | 京元電 | DRAM/HBM 測試 | HBM4 2H26 |
| 測試 | 旺矽 | MEMS 探針卡,MS 估 2026 年相關營收 +93% | 已出貨 |
| 封裝 | 日月光 | 承接台積電 CoWoS 後段外包 | 已出貨 |
力積電法說;野村(中砂、日月光);群益(印能);政美官網;HSBC、中信(京元電);MS(旺矽);Citi
台廠不做 HBM 顆粒,但每一段都有人;最快的已在出貨,力積電要等 2027 年底
要注意:Samsung 追上後的價格競爭、中國長鑫進場、規格下修到 8 層為主。
圖中文字
要注意的地方+重點整理
供給缺口會收斂嗎?價值會被誰拿走?
四個風險:
- Samsung 追上,價格競爭變激烈:UBS 估 2027 年 Samsung 位元市占 40%,超過 SK hynix
- 中國長鑫進場:MS 估 2027 年可做 300–400 萬顆 HBM3E,先供中國 AI 晶片
- 規格下修:8 層為主、16 層延後,每顆晶片用的 HBM 可能變少
- 價值往客戶移:NVIDIA 的 NVHBM 讓客戶自己設計 base die,記憶體廠的分潤位置會變
重點整理:
- 市場兩年快一倍:JPM:2028 年約 2,820 億美元,2027 年 ASIC 成最大買家
- 缺貨的根本是晶圓:同樣容量吃 3 倍以上晶圓,2027 年產出多已被長約訂走
- 台廠吃前後段:晶圓、材料、設備、測試、封裝都有台廠,時程從已出貨到 4Q27
HBM 缺的不只是記憶體,是整條供應鏈;記憶體三家寡占,但台廠每一段都分得到
資料來源:JPM、UBS、MS、GFHK、野村、Citi 公開報告與公司法說
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