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記憶體到底為什麼漲成這樣

整理凱基投顧記憶體產業報告重點，說明 AI 算力帶動 DRAM、HBM、NAND 供需吃緊的原因、2027 至 2028 年供需展望、12 吋矽晶圓的延伸影響，以及南亞科、華邦電、群聯的個股筆記。

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記憶體到底為什麼漲成這樣～～
今天整理了凱基記憶體產業概況的筆記分享給大家～

圖 1／10產業筆記封面：記憶體為什麼漲成這樣？2027 年需求年增 40–50%，DRAM 供給年增約 22%。
圖中文字

以下整理圖卡中補充的內容；圖卡註明數字為券商預估與公司規劃（市場預期／公司指引）。

記憶體牆

過去五年 GPU 算力成長約 16 倍
記憶體頻寬卻只成長 5.1 倍，遠遠跟不上算力，這就是大家常聽到的 Memory Wall記憶體牆。

想像 CPU/GPU 就像一台跑得飛快的超跑，但前面的高速公路只有一線道。車子再快，也只能卡在路上等其他車通過。
GPU 算得再快，記憶體搬資料的速度跟不上，效能就會被卡住。

所以對 CSP 大佬們來說，記憶體不是能省就省的成本
而是決定 GPU 能不能火力全開的關鍵！

以前手機、PC 品牌遇到記憶體漲價，砍容量就好
但 CSP 的邏輯是：先確保 GPU、CPU、整台 AI 系統能出貨再說
算力翻倍，記憶體需求甚至可能不只翻倍

圖 2／10記憶體牆：過去五年 GPU 算力成長約 16 倍，記憶體頻寬只成長約 5.1 倍。

2027 年的供需落差有多大？

需求端：

  • GPU／ASIC 與 HBM 顆數需求年增約 40%–50%
  • CPU 出貨年增約 35%–40%
  • R-DIMM 需求年增約 40%
  • HBM 供需增速約 47%

供給端：

整體 DRAM bit supply 年增只有約 22%
（原廠先前甚至只估 15%–18%）
供給這個缺口高達2成以上

而且 2027 年 DRAM 供給中
R-DIMM 約 46%、HBM 約 12%、SO-DIMM 約 9%
三個 Server 應用加起來就佔了約 67%

圖 3／102027 年各環節需求增率與 DRAM bit 供給增率長條圖，以及 DRAM 供給約 67% 分給 Server 應用的比例條。
圖中文字

2027 年，需求跑贏供給

這輪不是手機、PC 回溫，是 AI 算力把產能吃光；需求跑在前面，供給在後面追。

項目 2027 年增率（市場預期）
GPU／ASIC 與 HBM 顆數 +40–50%
R-DIMM（伺服器記憶體模組） 約 +40%
CPU 出貨 +35–40%
DRAM bit 供給 約 +22%（原廠先前甚至只估 15–18%）

2027 DRAM 供給約 67% 給 Server：R-DIMM 46%、HBM 12%、SO-DIMM 9%、其他 33%。需求年增 4 成，供給只長 2 成。

HBM：毛利不是最好的，但不能沒有它

其實 HBM 的單片晶圓產值，可能還比不上高階 DDR5 R-DIMM
那原廠幹嘛拼命做？

因為沒有 HBM，GPU／ASIC 就出不了貨
GPU 出不了貨，後面的 CPU、R-DIMM 需求也跟著卡死
HBM 就像整條供應鏈的第一張骨牌～

HBM 佔 DRAM 投片比重，從 2026 年約 19% 升到 2027 年約 24%
三星又偏向守住市占第一，投片可能跟著 SK Hynix 走
傳統 DRAM 能分到的產能就被越擠越少啦

圖 4／10HBM 骨牌效應流程圖，HBM 佔 DRAM 投片比重由 2026 年 19% 升至 2027 年 24%。
圖中文字

HBM 是第一張骨牌

＊HBM（高頻寬記憶體）：把多層 DRAM 疊起來、緊貼在 GPU 旁邊的高速記憶體。

HBM 不夠 → GPU／ASIC 出不了貨 → CPU、R-DIMM 需求跟著卡死。HBM 每多吃一片晶圓，傳統 DRAM 就少分一片。圖卡將「三星傾向守住市占第一，HBM 投片可能跟著 SK Hynix 走」標為推測。

目前有四種解決方式

  1. 犧牲非伺服器應用
    PC、手機、消費電子、顯示卡通通先讓位給 Server
    但就算這樣，也只能勉強撐住 Server 出貨，沒什麼空間加容量
  2. HBM 降堆疊層數
    如果全部做 12-Hi，顆數根本不夠配 GPU
    所以部分產品改成 8-Hi，用同樣的 bit 生出更多顆
    這是供給吃緊下的必要選擇，不是為了省錢喔
  3. 降低 SoC 記憶體與 R-DIMM 容量
    2027 年 32GB 規格比重反而回升
    平均容量只年增約 1.1%
    目的就是別讓 DRAM 卡死整台機器出貨
  4. 擴產
    SK Hynix 目標 2030 年產能翻倍
    但新廠從選址、蓋廠、移機到量產要 2–3 年
    最快 2027–2028 年才有實質貢獻
    （遠水救不了近火啊～）
圖 5／10缺貨下的四招：讓位給 Server、HBM 由 12-Hi 改 8-Hi、平均容量年增約 1.1%、蓋新廠擴產。
圖中文字

四招與擴產時程

  • 降規、降容量 ≠ 需求變弱，是缺貨下的必要選擇，不是為了省錢。
圖 6／10一座新廠從選址、蓋廠、移機到量產需 2–3 年，SK Hynix 目標 2030 年產能翻倍。
圖中文字
  • 蓋新廠擴產是唯一真正增加供給的方法，但也是最慢的一招：一座新廠的時間線為選址 → 蓋廠 → 移機 → 量產，約 2–3 年。
  • SK Hynix 產能目標 2030 年翻倍（公司指引）；新產能實質貢獻最快 2027–28（市場預期）。
  • 短期的缺口靠「分配」撐，不是靠「新增」解決。

那 2028 年會不會供過於求？

目前看起來不太會！

2027 年沒被滿足的需求可能遞延到 2028 年
HBM 月投片估計從 2027 年底約 680K 增至 2028 年底約 800K
佔整體 DRAM 投片可能升到約 28%

就算 2028 年多座新廠開出來
扣掉 HBM 後，傳統 DRAM 投片年增可能只有 low-single-digit
如果消費電子 2027 年落底、2028 年復甦，缺口搞不好還會更大

圖 7／102028 年供需：HBM 月投片由 680K 增至 800K、佔 DRAM 投片約 28%，以及三個不易供過於求的理由。
圖中文字

2028 年會供過於求嗎？

  1. 需求往後遞延：2027 沒被滿足的訂單，可能直接排進 2028。
  2. 傳統 DRAM 擠不出來：扣掉 HBM 後，傳統 DRAM 投片年增可能只有低個位數。
  3. 消費電子若復甦（推測）：2027 落底、2028 回溫，缺口搞不好更大。

新廠開出 ≠ 供過於求。

延伸受惠者：12 吋矽晶圓

記憶體約佔 12 吋矽晶圓需求的 45%
上一輪 2016 年 super cycle，DRAM wafer 漲約 136%，12 吋 wafer 漲約 94%
這一輪 DRAM wafer 已漲約 23%，polished wafer 價格才剛開始反應

重點來了～
12 吋 polished wafer 成本只佔 DRAM wafer 成本約 0.1%
就像你花 5,000 元去看演唱會，結果手環從 10 元漲到 20 元，雖然價格漲了 100%，你真的會在意嗎？
對記憶體廠來說，先搶得到票才是最重要的。

信越與客戶的 2027 年 LTA 談判接近完成，預期漲幅顯著

圖 8／1012 吋矽晶圓：2016 年與本輪 DRAM wafer、矽晶圓漲幅比較，矽晶圓約佔 DRAM wafer 成本 0.1%。
圖中文字

12 吋矽晶圓

上一輪 2016（已發生） 這一輪（已發生）
DRAM wafer 價格 +136% 約 +23%
12 吋矽晶圓價格／12 吋拋光晶圓價格 +94% 才剛開始反應

LTA 即長期供貨合約。記憶體廠在意的不是價格，是搶不搶得到貨。

NAND ：既有需求強勁，新技術會帶來額外晶圓消耗

DRAM 缺貨，NAND 也很難寬鬆，因 DRAM 單片晶圓產值更高，三星與 SK Hynix 的部分產能可在 DRAM／NAND 間調整。

Enterprise SSD 訂單強勁，Microsoft、Google、Meta 都上調 QLC 訂單
連過去比較少用 QLC 的 Google，Forecast 都明顯上修

＊註：QLC（Quad-Level Cell）是一種 NAND Flash 技術，每個記憶單元儲存 4 個 bit，常用於 SSD

新興技術：

  • CMX／KV Cache Offload：推論 Context 越拉越長，部分 CSP 把 KV Cache 從 DRAM 搬到 NAND
    （桌上堆不下的筆記，先收進抽屜裡，要用再拿）
  • Kioxia XL-Flash：Gen 3 目標 1 億 IOPS，約為傳統 TLC Gen 4 Enterprise SSD 的 100 倍，晶圓消耗量可能是傳統 NAND 的 3–4 倍
  • HBF：SK Hynix 與 SanDisk 合作，目標頻寬接近 HBM、容量約 HBM 的十倍，最快 2028 年後放量

時程上 CMX 會先落地，XL-Flash 接著上，HBF／Z-NAND 則要等 2028 年後～

圖 9／10NAND 新技術時程：CMX／KV Cache 卸載先落地、Kioxia XL-Flash 接著上、HBF 2028 年後。
圖中文字

NAND 新技術時程

時程 技術 重點
先落地 CMX／KV Cache 卸載 推論的上下文越拉越長
接著上 Kioxia XL-Flash 晶圓消耗可能是傳統 NAND 的 3–4 倍
2028 年後 HBF 頻寬接近 HBM、容量約 HBM 十倍

個股筆記

南亞科（2408）

5A 新廠滿載後可增加約 45K 產能，擴產幅度可能是同業最大
產品從 DDR4／Consumer 轉向 DDR5、Server、R-DIMM，6400 速 R-DIMM 已準備好供應美系 CSP
還有跟 TSMC 合作 Wafer-on-Wafer
在美中供應鏈分流下，是美、韓、中以外技術與產能較領先的 DRAM 廠

華邦電（2344）

邏輯跟南亞科類似，但沒有 DDR5，無法直接切 R-DIMM
可受惠 Enterprise SSD Cache DRAM、BMC，同時是 NOR Flash 龍頭
NOR 可能是後續漲幅最大的記憶體產品，第四季漲幅估約 40%–70%，明年仍有續漲機會

群聯（8299）

已跟韓系供應商談妥明年供貨，也在跟 Kioxia 洽談，目標取得今年約兩倍的貨源
Enterprise SSD 比重從今年上半年約 38%，明年估升至約 47% ；企業級產品客製化程度與毛利率較高

圖 10／10記憶體相關台股筆記：南亞科、華邦電、群聯的切入位置與關鍵數字。
圖中文字

記憶體相關台股筆記

同樣吃到缺貨，切入的位置不一樣：

公司 定位 關鍵數字
南亞科（2408） Server DRAM 轉型 +45K：5A 新廠滿載後產能，擴產幅度或為同業最大
華邦電（2344） NOR Flash 龍頭 40–70%：NOR 第四季漲幅預估
群聯（8299） 企業級 SSD 38→47%：Enterprise SSD 比重，今年上半年→明年預估

南亞科 ≠ 華邦電：一個吃 Server DRAM，一個吃 NOR 與利基型記憶體。圖卡另註明華邦電受惠的 BMC 為伺服器管理晶片。

資料：凱基投顧 記憶體產業報告。圖卡註明：本內容為產業研究筆記，非投資建議。

股溜產業平台 產業資訊整理，不構成投資建議；數字以證交所、櫃買中心、集保公告為準。 資料日 2026-10-15